SI8489EDB-T2-E1
Número do Produto do Fabricante:

SI8489EDB-T2-E1

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI8489EDB-T2-E1-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 3.06A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot

Inventário:

4861 Pcs Novo Original Em Estoque
12918617
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SI8489EDB-T2-E1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.06A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
765 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-Microfoot
Pacote / Estojo
4-UFBGA
Número do produto base
SI8489

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SI8489EDB-T2-E1CT
SI8489EDB-T2-E1TR
SI8489EDB-T2-E1DKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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