Número do Produto do Fabricante:
SI8457DB-T1-E1
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI8457DB-T1-E1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Descrição Detalhada:
P-Channel 12 V 6.5A (Ta) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Inventário:
5800 Pcs Novo Original Em Estoque
12918326
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SI8457DB-T1-E1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
900mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2900 pF @ 6 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Pacote / Estojo
4-UFBGA
Número do produto base
SI8457
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI8457DB-T1-E1DKR
SI8457DB-T1-E1CT
SI8457DB-T1-E1TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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