Número do Produto do Fabricante:
SI8416DB-T2-E1
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI8416DB-T2-E1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
Descrição Detalhada:
N-Channel 8 V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Inventário:
16052 Pcs Novo Original Em Estoque
12914146
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI8416DB-T2-E1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
8 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
800mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1470 pF @ 4 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Pacote / Estojo
6-UFBGA
Número do produto base
SI8416
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI8416DB-T2-E1-DG
SI8416DB-T2-E1DKR
SI8416DB-T2-E1CT
SI8416DB-T2-E1TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRFZ24STRRPBF
MOSFET N-CH 60V 17A TO263
SI3458BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
SI1304BDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
