Número do Produto do Fabricante:
SI8415DB-T1-E1
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI8415DB-T1-E1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 5.3A 4MICROFOOT
Descrição Detalhada:
P-Channel 12 V 5.3A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Inventário:
12913130
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SI8415DB-T1-E1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
37mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.47W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-Microfoot
Pacote / Estojo
4-XFBGA, CSPBGA
Número do produto base
SI8415
Informação Adicional
Outros nomes
SI8415DBT1E1
SI8415DB-T1-E1CT
SI8415DB-T1-E1DKR
SI8415DB-T1-E1TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI8425DB-T1-E1
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
900
NÚMERO DA PEÇA
SI8425DB-T1-E1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.17
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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