SI8409DB-T1-E1
Número do Produto do Fabricante:

SI8409DB-T1-E1

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI8409DB-T1-E1-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 4.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot

Inventário:

7976 Pcs Novo Original Em Estoque
12921422
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SI8409DB-T1-E1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.47W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-Microfoot
Pacote / Estojo
4-XFBGA, CSPBGA
Número do produto base
SI8409

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SI8409DB-T1-E1TR
SI8409DBT1E1
SI8409DB-T1-E1DKR
SI8409DB-T1-E1CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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