Número do Produto do Fabricante:
SI7615BDN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI7615BDN-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 29A (Ta), 104A (Tc) 5.2W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventário:
12986913
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SI7615BDN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
29A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4890 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5.2W (Ta), 66W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8
Número do produto base
SI7615
Informação Adicional
Outros nomes
742-SI7615BDN-T1-GE3TR
742-SI7615BDN-T1-GE3CT
742-SI7615BDN-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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