Número do Produto do Fabricante:
SI7464DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI7464DP-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
2660 Pcs Novo Original Em Estoque
12916236
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SI7464DP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SI7464
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI7464DP-T1-GE3CT
SI7464DPT1GE3
SI7464DP-T1-GE3TR
SI7464DP-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
BSC22DN20NS3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5719
NÚMERO DA PEÇA
BSC22DN20NS3GATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.42
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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