Número do Produto do Fabricante:
SI7252DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI7252DP-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 100V 36.7A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventário:
12914691
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SI7252DP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
36.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1170pF @ 50V
Potência - Máx.
46W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8 Dual
Número do produto base
SI7252
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI7252DP-T1-GE3DKR
SI7252DP-T1-GE3TR
SI7252DPT1GE3
SI7252DP-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SP8K52FRATB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2460
NÚMERO DA PEÇA
SP8K52FRATB-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.42
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
SH8KA7GZETB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2500
NÚMERO DA PEÇA
SH8KA7GZETB-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.76
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
SH8K37GZETB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2356
NÚMERO DA PEÇA
SH8K37GZETB-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.60
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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