Número do Produto do Fabricante:
SI7252ADP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI7252ADP-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 100V 9.3A (Ta), 28.7A (Tc) 3.6W (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventário:
11679 Pcs Novo Original Em Estoque
12949162
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SI7252ADP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
26.5nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1266pF @ 50V
Potência - Máx.
3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8 Dual
Número do produto base
SI7252
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
742-SI7252ADP-T1-GE3TR
742-SI7252ADP-T1-GE3CT
742-SI7252ADP-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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