Número do Produto do Fabricante:
SI7230DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI7230DN-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventário:
12914742
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI7230DN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8
Número do produto base
SI7230
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RQ3E100MNTB1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5261
NÚMERO DA PEÇA
RQ3E100MNTB1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.40
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
RQ3E080BNTB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
40431
NÚMERO DA PEÇA
RQ3E080BNTB-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.10
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI4114DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
IRFL210PBF
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
BUK7520-55A,127
MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB
