Número do Produto do Fabricante:
SI7172DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI7172DP-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 25A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
7461 Pcs Novo Original Em Estoque
12960840
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SI7172DP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2250 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5.4W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SI7172
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI7172DP-T1-GE3CT
SI7172DP-T1-GE3DKR
SI7172DPT1GE3
SI7172DP-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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