Número do Produto do Fabricante:
SI7117DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI7117DN-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Descrição Detalhada:
P-Channel 150 V 2.17A (Tc) 3.2W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventário:
1998 Pcs Novo Original Em Estoque
12919737
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SI7117DN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.17A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
510 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8
Número do produto base
SI7117
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI7117DN-T1-GE3-DG
SI7117DN-T1-GE3CT
SI7117DN-T1-GE3TR
SI7117DN-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FDMC86265P
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1300
NÚMERO DA PEÇA
FDMC86265P-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.65
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
SI7117DN-T1-E3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
7500
NÚMERO DA PEÇA
SI7117DN-T1-E3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.45
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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