Número do Produto do Fabricante:
SI7100DN-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI7100DN-T1-E3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK1212-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 8 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventário:
12913949
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
U405
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI7100DN-T1-E3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
8 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3810 pF @ 4 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8
Número do produto base
SI7100
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI7100DN-T1-E3TR
SI7100DN-T1-E3CT
SI7100DNT1E3
SI7100DN-T1-E3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI7374DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
IRFU4105ZTRL
MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
IRFP22N60K
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3