SI6423DQ-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI6423DQ-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI6423DQ-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Descrição Detalhada:
P-Channel 12 V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

Inventário:

8352 Pcs Novo Original Em Estoque
12954342
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SI6423DQ-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8.2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
800mV @ 400µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±8V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.05W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSSOP
Pacote / Estojo
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Número do produto base
SI6423

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
SI6423DQ-T1-GE3CT
SI6423DQ-T1-GE3TR
SI6423DQT1GE3
SI6423DQ-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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