Número do Produto do Fabricante:
SI5999EDU-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI5999EDU-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Inventário:
12919668
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SI5999EDU-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
496pF @ 10V
Potência - Máx.
10.4W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® ChipFet Dual
Número do produto base
SI5999
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI5999EDU-T1-GE3DKR
SI5999EDUT1GE3
SI5999EDU-T1-GE3CT
SI5999EDU-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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