Número do Produto do Fabricante:
SI5913DC-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI5913DC-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 4A (Tc) 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventário:
12914282
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI5913DC-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
LITTLE FOOT®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
84mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
330 pF @ 10 V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
1206-8 ChipFET™
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Número do produto base
SI5913
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI5913DC-T1-GE3CT
SI5913DCT1GE3
SI5913DC-T1-GE3DKR
SI5913DC-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
NTHD3101FT1G
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3000
NÚMERO DA PEÇA
NTHD3101FT1G-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.45
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI4646DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
SI7413DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
IXTP160N085T
MOSFET N-CH 85V 160A TO220AB
