Número do Produto do Fabricante:
SI5509DC-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI5509DC-T1-E3-DG
Descrição:
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 6.1A, 4.8A 4.5W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventário:
12911455
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SI5509DC-T1-E3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.1A, 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.6nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
455pF @ 10V
Potência - Máx.
4.5W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Pacote de dispositivos do fornecedor
1206-8 ChipFET™
Número do produto base
SI5509
Informação Adicional
Outros nomes
SI5509DCT1E3
SI5509DC-T1-E3CT
SI5509DC-T1-E3TR
SI5509DC-T1-E3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TT8M1TR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
6717
NÚMERO DA PEÇA
TT8M1TR-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.14
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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