SI5461EDC-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI5461EDC-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI5461EDC-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 20V 4.5A 1206-8
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™

Inventário:

12919784
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SI5461EDC-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
450mV @ 250µA (Min)
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
1206-8 ChipFET™
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Número do produto base
SI5461

Informação Adicional

Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
SI5457DC-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
28298
NÚMERO DA PEÇA
SI5457DC-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.15
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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