Número do Produto do Fabricante:
SI5432DC-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI5432DC-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventário:
12918960
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SI5432DC-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 8.3A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
1206-8 ChipFET™
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Número do produto base
SI5432
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI5432DCT1GE3
SI5432DC-T1-GE3DKR
SI5432DC-T1-GE3TR
SI5432DC-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI5418DU-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1882
NÚMERO DA PEÇA
SI5418DU-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.45
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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