Número do Produto do Fabricante:
SI5411EDU-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI5411EDU-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
Descrição Detalhada:
P-Channel 12 V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single
Inventário:
12918208
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SI5411EDU-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
900mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4100 pF @ 6 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura de operação
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® ChipFet Single
Pacote / Estojo
PowerPAK® ChipFET™ Single
Número do produto base
SI5411
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI5411EDU-T1-GE3TR
SI5411EDU-T1-GE3CT
SI5411EDU-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI5419DU-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
13890
NÚMERO DA PEÇA
SI5419DU-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.16
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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