Número do Produto do Fabricante:
SI5402BDC-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI5402BDC-T1-E3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventário:
12966325
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SI5402BDC-T1-E3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
1206-8 ChipFET™
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Número do produto base
SI5402
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI5402BDCT1E3
SI5402BDC-T1-E3TR
SI5402BDC-T1-E3CT
SI5402BDC-T1-E3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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