Número do Produto do Fabricante:
SI4931DY-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI4931DY-T1-E3-DG
Descrição:
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
3736 Pcs Novo Original Em Estoque
12915608
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SI4931DY-T1-E3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8.9A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 350µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potência - Máx.
1.1W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Número do produto base
SI4931
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI4931DYT1E3
SI4931DY-T1-E3CT
SI4931DY-T1-E3DKR
SI4931DY-T1-E3TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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