Número do Produto do Fabricante:
SI4845DY-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI4845DY-T1-E3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 8SO
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 2.7A (Tc) 1.75W (Ta), 2.75W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
12919532
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SI4845DY-T1-E3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
LITTLE FOOT®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
312 pF @ 10 V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
1.75W (Ta), 2.75W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SI4845
Informação Adicional
Outros nomes
SI4845DY-T1-E3CT
SI4845DY-T1-E3TR
SI4845DYT1E3
SI4845DY-T1-E3DKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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