SI4838DY-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI4838DY-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI4838DY-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Descrição Detalhada:
N-Channel 12 V 17A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventário:

12915743
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SI4838DY-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 25A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
600mV @ 250µA (Min)
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.6W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SI4838

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SI7114DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIA419DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SI4840DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 10A 8SO

vishay-siliconix

SI3424BDV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP