SI4833ADY-T1-E3
Número do Produto do Fabricante:

SI4833ADY-T1-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI4833ADY-T1-E3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 4.6A (Tc) 1.93W (Ta), 2.75W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventário:

12913374
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SI4833ADY-T1-E3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
LITTLE FOOT®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
750 pF @ 15 V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
1.93W (Ta), 2.75W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SI4833

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SI4833ADYT1E3
SI4833ADY-T1-E3CT
SI4833ADY-T1-E3DKR
SI4833ADY-T1-E3TR
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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