Número do Produto do Fabricante:
SI4660DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI4660DY-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 23.1A 8SO
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 23.1A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
12914540
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI4660DY-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
23.1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2410 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SI4660
Informação Adicional
Outros nomes
SI4660DY-T1-GE3CT
SI4660DY-T1-GE3TR
SI4660DYT1GE3
SI4660DY-T1-GE3DKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRL530STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
SI7892BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
SI7107DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8
