Número do Produto do Fabricante:
SI4463CDY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI4463CDY-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 13.6A (Ta), 49A (Tc) 2.7W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
20170 Pcs Novo Original Em Estoque
12915350
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SI4463CDY-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13.6A (Ta), 49A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
162 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4250 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.7W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SI4463
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI4463CDY-T1-GE3DKR
SI4463CDY-T1-GE3CT
SI4463CDY-T1-GE3TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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