Número do Produto do Fabricante:
SI4447DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI4447DY-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Descrição Detalhada:
P-Channel 40 V 3.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
2500 Pcs Novo Original Em Estoque
12912620
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI4447DY-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 4.5A, 15V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
805 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.1W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SI4447
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI4447DY-T1-GE3CT
SI4447DY-T1-GE3TR
SI4447DY-T1-GE3DKR
SI4447DYT1GE3
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRLI640GPBF
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
IXFZ140N25T
MOSFET N-CH 250V 100A DE475
SI4462DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8SO
