Número do Produto do Fabricante:
SI4174DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI4174DY-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 17A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
16514 Pcs Novo Original Em Estoque
12914453
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
9Mye
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI4174DY-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
985 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SI4174
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI4174DY-T1-GE3DKR
SI4174DYT1GE3
SI4174DY-T1-GE3-DG
SI4174DY-T1-GE3TR
SI4174DY-T1-GE3CT
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI2319DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
IRFI620GPBF
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
