Número do Produto do Fabricante:
SI3900DV-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI3900DV-T1-E3-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Inventário:
38761 Pcs Novo Original Em Estoque
12919170
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SI3900DV-T1-E3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potência - Máx.
830mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP
Número do produto base
SI3900
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI3900DV-T1-E3TR
SI3900DVT1E3
SI3900DV-T1-E3DKR
SI3900DV-T1-E3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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