Número do Produto do Fabricante:
SI3879DV-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI3879DV-T1-E3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 5A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventário:
12918512
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI3879DV-T1-E3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
LITTLE FOOT®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
480 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP
Pacote / Estojo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número do produto base
SI3879
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FDC634P
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5000
NÚMERO DA PEÇA
FDC634P-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.18
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIHD1K4N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
SI4688DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
SUD15N15-95-E3
MOSFET N-CH 150V 15A TO252
