Número do Produto do Fabricante:
SI3493BDV-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI3493BDV-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 8A (Tc) 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventário:
15439 Pcs Novo Original Em Estoque
12917525
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI3493BDV-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27.5mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
900mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
43.5 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1805 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP
Pacote / Estojo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número do produto base
SI3493
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI3493BDV-T1-GE3CT
2266-SI3493BDV-T1-GE3TR
SI3493BDVT1GE3
SI3493BDV-T1-GE3DKR
SI3493BDV-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI3481DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4A 6TSOP
SIHG64N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
PMV164ENEAR
MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
