SI3476DV-T1-BE3

Número do Produto do Fabricante:

SI3476DV-T1-BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI3476DV-T1-BE3-DG

Descrição:

N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

Descrição Detalhada:

N-Channel 80 V 3.5A (Ta), 4.6A (Tc) 2W (Ta), 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventário:

5950 Pcs Novo Original Em Estoque

12977722

Solicitar Orçamento

Quantidade
Mínimo 1

(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas

ENVIAR

SI3476DV-T1-BE3 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

80 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

3.5A (Ta), 4.6A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

93mOhm @ 3.5A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

3V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

7.5 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

195 pF @ 40 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

2W (Ta), 3.6W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

6-TSOP

Pacote / Estojo

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes

742-SI3476DV-T1-BE3TR

742-SI3476DV-T1-BE3DKR

742-SI3476DV-T1-BE3CT

Pacote padrão

3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produtos Relacionados

vishay-siliconix

SI3437DV-T1-BE3

P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SQJA64EP-T1_BE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SI2399DS-T1-BE3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SIDR610DP-T1-RE3

N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET