Número do Produto do Fabricante:
SI3430DV-T1-BE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI3430DV-T1-BE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventário:
5293 Pcs Novo Original Em Estoque
12973704
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SI3430DV-T1-BE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.14W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP
Pacote / Estojo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número do produto base
SI3430
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
742-SI3430DV-T1-BE3CT
742-SI3430DV-T1-BE3DKR
742-SI3430DV-T1-BE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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