SI3407DV-T1-BE3
Número do Produto do Fabricante:

SI3407DV-T1-BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI3407DV-T1-BE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 7.5A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventário:

1316 Pcs Novo Original Em Estoque
12971599
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SI3407DV-T1-BE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.5A (Ta), 8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 7.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1670 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP
Pacote / Estojo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número do produto base
SI3407

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
742-SI3407DV-T1-BE3CT
742-SI3407DV-T1-BE3TR
742-SI3407DV-T1-BE3DKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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