Número do Produto do Fabricante:
SI2342DS-T1-BE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI2342DS-T1-BE3-DG
Descrição:
N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 8 V 6A (Ta), 6A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventário:
2875 Pcs Novo Original Em Estoque
13000230
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SI2342DS-T1-BE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
8 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Ta), 6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 7.2A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
800mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1070 pF @ 4 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
742-SI2342DS-T1-BE3CT
742-SI2342DS-T1-BE3DKR
742-SI2342DS-T1-BE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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