Número do Produto do Fabricante:
SI2336DS-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI2336DS-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 5.2A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventário:
35483 Pcs Novo Original Em Estoque
12913311
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI2336DS-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 3.8A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
560 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
SI2336
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI2336DS-T1-GE3TR
SI2336DS-T1-GE3DKR
SI2336DST1GE3
SI2336DS-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI4668DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 16.2A 8SO
SI3424DV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
SI3481DV-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4A 6TSOP
