Número do Produto do Fabricante:
SI2335DS-T1-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI2335DS-T1-E3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Descrição Detalhada:
P-Channel 12 V 3.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventário:
12914626
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SI2335DS-T1-E3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
51mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
450mV @ 250µA (Min)
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1225 pF @ 6 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
750mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
SI2335
Informação Adicional
Outros nomes
SI2335DST1E3
SI2335DS-T1-E3DKR
SI2335DS-T1-E3CT
SI2335DS-T1-E3-DG
SI2335DS-T1-E3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI2333DDS-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
16839
NÚMERO DA PEÇA
SI2333DDS-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.10
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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