Número do Produto do Fabricante:
SI2333DS-T1-BE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI2333DS-T1-BE3-DG
Descrição:
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Descrição Detalhada:
P-Channel 12 V 4.1A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventário:
1300 Pcs Novo Original Em Estoque
12977807
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SI2333DS-T1-BE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 5.3A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 6 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
750mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
742-SI2333DS-T1-BE3CT
742-SI2333DS-T1-BE3DKR
742-SI2333DS-T1-BE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI2333DS-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
7100
NÚMERO DA PEÇA
SI2333DS-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.28
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
NÚMERO DA PEÇA
SI2333DS-T1-E3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
55285
NÚMERO DA PEÇA
SI2333DS-T1-E3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.25
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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