Número do Produto do Fabricante:
SI2324DS-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI2324DS-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 2.3A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventário:
47703 Pcs Novo Original Em Estoque
12912550
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SI2324DS-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
234mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.9V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
190 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
SI2324
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SI2324DS-T1-GE3DKR
SI2324DS-T1-GE3CT
SI2324DS-T1-GE3TR
SI2324DS-T1-GE3-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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