SI2312CDS-T1-BE3
Número do Produto do Fabricante:

SI2312CDS-T1-BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI2312CDS-T1-BE3-DG

Descrição:

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 5A (Ta), 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventário:

12977897
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SI2312CDS-T1-BE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5A (Ta), 6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31.8mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
865 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
742-SI2312CDS-T1-BE3CT
742-SI2312CDS-T1-BE3TR
742-SI2312CDS-T1-BE3DKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SIHP11N80E-BE3

N-CHANNEL 800V

vishay-siliconix

SIRC16DP-T1-RE3

N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC

vishay-siliconix

SIHL620STRL-GE3

LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V

vishay-siliconix

SIHB30N60ET5-GE3

N-CHANNEL 600V