SI2307BDS-T1-BE3
Número do Produto do Fabricante:

SI2307BDS-T1-BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI2307BDS-T1-BE3-DG

Descrição:

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 2.5A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventário:

3410 Pcs Novo Original Em Estoque
12977874
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SI2307BDS-T1-BE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
78mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
380 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
750mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
742-SI2307BDS-T1-BE3CT
742-SI2307BDS-T1-BE3DKR
742-SI2307BDS-T1-BE3TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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