SI1922EDH-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI1922EDH-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI1922EDH-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6

Inventário:

12913443
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SI1922EDH-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
198mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potência - Máx.
1.25W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-70-6
Número do produto base
SI1922

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
SI1922EDH-T1-GE3DKR
SI1922EDH-T1-GE3TR
SI1922EDHT1GE3
SI1922EDH-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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