Número do Produto do Fabricante:
SI1902DL-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI1902DL-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6
Inventário:
28220 Pcs Novo Original Em Estoque
12964717
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI1902DL-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
660mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
385mOhm @ 660mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potência - Máx.
270mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-70-6
Número do produto base
SI1902
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI1902DL-T1-GE3CT
SI1902DL-T1-GE3DKR
SI1902DLT1GE3
SI1902DL-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SSM6N62TU,LXHF
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
PJQ1820_R1_00001
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A 6DFN
SH8MC5TB1
MOSFET N/P-CH 60V 6.5A/7A 8SOP
