SI1426DH-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI1426DH-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI1426DH-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 2.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6

Inventário:

12959629
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SI1426DH-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-70-6
Pacote / Estojo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número do produto base
SI1426

Informação Adicional

Outros nomes
SI1426DH-T1-GE3TR
SI1426DH-T1-GE3DKR
SI1426DHT1GE3
SI1426DH-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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