SI1315DL-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI1315DL-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI1315DL-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 8V 900MA SOT323
Descrição Detalhada:
P-Channel 8 V 900mA (Tc) 300mW (Ta), 400mW (Tc) Surface Mount SC-70-3

Inventário:

12915681
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SI1315DL-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
8 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
900mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
336mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
800mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
112 pF @ 4 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300mW (Ta), 400mW (Tc)
Temperatura de operação
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-70-3
Pacote / Estojo
SC-70, SOT-323
Número do produto base
SI1315

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
SI1315DL-T1-GE3-DG
SI1315DL-T1-GE3TR
SI1315DL-T1-GE3DKR
SI1315DL-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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