Número do Produto do Fabricante:
SI1070X-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI1070X-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 1.2A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventário:
923 Pcs Novo Original Em Estoque
12917620
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI1070X-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.55V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
385 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
236mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-89 (SOT-563F)
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Número do produto base
SI1070
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI1070X-T1-GE3CT
SI1070X-T1-GE3TR
SI1070X-T1-GE3DKR
SI1070XT1GE3
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SSM6K202FE,LF
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
21141
NÚMERO DA PEÇA
SSM6K202FE,LF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.12
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
SI2325DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
SIHD3N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
