Número do Produto do Fabricante:
SI1058X-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI1058X-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V SC89-6
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventário:
12914427
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SI1058X-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
91mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.55V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
5.9 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
380 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
236mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-89 (SOT-563F)
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Número do produto base
SI1058
Informação Adicional
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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