SI1058X-T1-E3
Número do Produto do Fabricante:

SI1058X-T1-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI1058X-T1-E3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 20V 1.3A SC89-6
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)

Inventário:

12912155
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SI1058X-T1-E3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
91mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.55V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
5.9 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
380 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
236mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-89 (SOT-563F)
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Número do produto base
SI1058

Informação Adicional

Outros nomes
SI1058X-T1-E3TR
SI1058X-T1-E3DKR
SI1058XT1E3
SI1058X-T1-E3CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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