SI1021R-T1-E3
Número do Produto do Fabricante:

SI1021R-T1-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI1021R-T1-E3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 190mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A

Inventário:

12914068
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SI1021R-T1-E3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
1.7 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
23 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-75A
Pacote / Estojo
SC-75, SOT-416
Número do produto base
SI1021

Informação Adicional

Outros nomes
SI1021RT1E3
SI1021R-T1-E3CT
SI1021R-T1-E3DKR
SI1021R-T1-E3TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
SI1021R-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
21291
NÚMERO DA PEÇA
SI1021R-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.14
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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